N型両面ETHBD570-590W(144)

重要な特徴と利点

。SMBB テクノロジー

改善されるためのよりよい光捕捉と電流収集  モジュール出力と信頼性 .

。PID抵抗

優化されたPlD対策の性能保証  量産プロセスと材料の制御

。極端 な 環境 条件 に 対し て 耐久 性

塩霧とアンモニア抵抗性が高い

。ホット2.0技術

熱 2.0 テクノロジーの N 型モジュールがより良い  信頼性とLID/LETIDの低さ .

。機械 的 負荷 が 増加 する

風 (2400 パスカル) と雪に耐えるよう認定  負荷 ((5400 パスカル) .

技術仕様：

·セルタイプ: 182 N型 モノ結晶

·寸法 : サイズ: 2278×1134×30mm/35mm

·フロントガラス: 2.0mm 反射防止コーティング

·フレーム:アノジスアルミ合金

·細胞数 : チェックリスト

·重量 : 31.5kg

·裏ガラス : 2.0mm 熱強化ガラス

·ジャンクションボックス  : IP68 格付け

·輸出ケーブル:TUV 1x4.0mm2:(+): 300mm, (-): 300mm またはカスタマイズされた長さ