ethm530-555m არის- ნვ.a- ნვ.მაღალი ეფექტურობა- ნვ.ერთკრისტალურინახევარუჯრედიანი- ნვ.მოდული- ნვ.ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპაგთლ ნაოპ
ძირითადი მახასიათებლები და სარგებელი:
◊მაქსიმალური ეფექტურობა: 21.70%,0-დან +5w დადებითი სიმძლავრის ტოლერანტობა
◊უფრო მაღალი სიმძლავრის გამომუშავება
◊ოპტიმიზაცია ტემპერატურის კოეფიციენტი
◊შეამციროს ჩრდილის დაკარგვა სიმძლავრის გამოსვლის
◊უფრო ძლიერი ფიზიკური თვისება
- ნვ.
ტექნიკური სპეციფიკაციები:
·მზის ელემენტები: mbb მონო perc 182x91mm (10bb)
·უჯრედის ორიენტაცია:144 უჯრა ((6 x24)
·მოდულის ზომები: 2278x 1134x35მმ
·წონა:27.2კგ
·მინის:მაღალი გამჭვირვალობა. ანტირეფლექტური, არ დაფარული და თერმულად გამძლე მზის მინის -3.2mm
·უკან:თეთრი
·ჩარჩო:ვერცხლის ანოდიზებული ალუმინის ალი ((შავი ხელმისაწვდომია)
·j-ბოქსი:IP68 ნომინაცია
·კაბელები:ფოტოელექტრო ტექნოლოგიის კაბელი 4.0mm2, 300mm
·კონექტორი:Mc4 თავსებადი