ethbd570-590w არის- ნვ.a- ნვ.მაღალი ეფექტურობის n ტიპის- ნვ.ერთკრისტალური ორპირინახევარუჯრედიანი- ნვ.მოდული- ნვ.12 წლიანი პროდუქტის გარანტიით, დადებითი სიმძლავრის ტოლერანტობა 0~+3%.
ძირითადი მახასიათებლები და სარგებელი:
◊smbb ტექნოლოგია
უკეთესი სინათლის დაჭერა და მიმდინარე შეგროვება გაუმჯობესება- ნვ.მოდულის სიმძლავრის გამომუშავება და საიმედოობა.
◊პიდის წინააღმდეგობა
შესანიშნავი anti-pld შესრულების გარანტია ოპტიმიზირებული- ნვ.მასობრივი წარმოების პროცესისა და მასალების კონტროლი.
◊გამძლეობა ექსტრემალური გარემოს პირობების წინააღმდეგ
მაღალი მარილის ნისლი და ამონიაკის წინააღმდეგობა.
◊ცხელი 2.0 ტექნოლოგია
n-type მოდული ცხელი 2.0 ტექნოლოგია აქვს უკეთესი- ნვ.საიმედოობა და ქვედა თავსახურის/ლედის.
◊გაძლიერებული მექანიკური დატვირთვა
სერტიფიცირებული: ქარის დატვირთვა (2400 პასკალი) და თოვლი- ნვ.ტვირთობა ((5400 პასკალი).
- ნვ.
ტექნიკური სპეციფიკაციები:
·უჯრედის ტიპი: 182 n ტიპის ერთკრისტალური
·ზომები:2278x1134x30მმ/35მმ
·წინა მინის: 2,0 მმ, ანტი-რეფლექსური საფარი
·ჩარჩო: ანოდიზებული ალუმინის შენადენი
·უჯრედების რაოდენობა:144 ((2x72)
·წონა:31.5 კგ
·უკანა მინის:2,0 მმ, თბოსგან გამაგრებული მინის
·გადამერთებელი ყუთი- ნვ.:IP68 ნომინაცია
·გამშვები კაბელები: tuv 1x4.0mm2:(+): 300mm, (-): 300mm ან მორგებული სიგრძე